[16p-Y1311-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[16p-Y1311-4] 窒素ドープβ-Ga₂O₃ホモエピタキシャル層のHVPE成長

〇河野 有佑¹、木川 孝俊¹、角田 健太郎¹、熊谷 義直^1,2 (1.東京農工大、2.東京農工大 FLOuRISH)

キーワード：

β酸化ガリウム、エピタキシー、p型ドーピング

β酸化ガリウム結晶では、縦型デバイス作製を念頭にその高純度層の高速成長や、n型・p型伝導制御が盛んに検討されている。当研究グループでは、ハライド気相成長(HVPE)法による高純度層(N_d－N_a < 10¹³ cm^-3)の高速成長と、SiCl₄をドーピングガスに用いたn型導電性制御を達成している。p型化については、高純度HVPEホモエピタキシャル層へのNイオン注入により達成されているが、イオン注入ダメージからの回復アニールが必須となる。そこで今回、HVPE成長中にNH₃をドーピングガスとして供給し、Nドープ層を直接成長することを検討した。