[16p-Y1311-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-Y1311-7] Mist CVD Growth and Characterization of α-Ga₂O₃ Films on α-Cr₂O₃ Templates

〇(M2)Kotono Yamada¹, Ryuma Iida¹, Shiyu Xiao², Kazuto Murakami², Takeyoshi Onuma¹, Tohru Honda¹, Morimichi Watanabe², Tomohiro Yamaguchi¹ (1.Kogakuin Univ., 2.NGK INSULATORS, LTD.)

Keywords:

Mist CVD,a-Ga2O3,dislocation density

新たなα-Ga₂O₃成長基板として、格子不整合差が小さいα-Cr₂O₃に着目し、ミストCVD法を用いてα-Ga₂O₃膜の成長、評価を行った。XRD RSM測定結果より、α-Cr₂O₃テンプレート上にα-Ga₂O₃膜がほぼコヒーレントに成長していることを確認した。また、α-Al₂O₃基板上α-Ga₂O₃膜と比較すると、特に非対称結晶面におけるXRC FWHM値が大幅に低減(推定転位密度で10⁷ /cm²台まで減少)していることを確認した。