[16p-Y1311-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[16p-Y1311-7] Mist CVD法によるα-Cr₂O₃テンプレート上α-Ga₂O₃成長と結晶評価

〇(M2)山田 琴乃¹、飯田 隆真¹、肖 世玉²、村上 和仁²、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、渡邊 守道²、山口 智広¹ (1.工学院大、2.日本ガイシ(株))

キーワード：

Mist CVD、α-Ga2O3、転位密度

新たなα-Ga₂O₃成長基板として、格子不整合差が小さいα-Cr₂O₃に着目し、ミストCVD法を用いてα-Ga₂O₃膜の成長、評価を行った。XRD RSM測定結果より、α-Cr₂O₃テンプレート上にα-Ga₂O₃膜がほぼコヒーレントに成長していることを確認した。また、α-Al₂O₃基板上α-Ga₂O₃膜と比較すると、特に非対称結晶面におけるXRC FWHM値が大幅に低減(推定転位密度で10⁷ /cm²台まで減少)していることを確認した。