[16p-Y1311-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-Y1311-9] Effects of High-Temperature Annealing on Electrical Properties of Si-Doped Ga₂O₃ Thin Films Grown by Low-Pressure Hot-Wall MOCVD

〇(M1)Jun Morihara¹, Mao Bando¹, Junya Yoshinaga^2,3, Yoshinao Kumagai², Masataka Higashiwaki^1,4 (1.Osaka Metropolitan Univ., 2.Tokyo Univ. of Agric. and Tech., 3.TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION, 4.NICT)

Keywords:

Gallium Oxide,MOCVD,High-Temperature Annealing

本研究では、減圧ホットウォール MOCVD成長したSiドープGa₂O₃薄膜の電気的特性に対する高温アニール処理の影響を調査した。高温アニール処理したエピ基板上に作製したショットキーバリアダイオードの、逆方向J–V–T特性の実測値とTFEモデル理論値は非常に良く一致した。この結果は、MOCVD成長したGa₂O₃薄膜の高品質・高耐圧化に、高温アニール処理が有効であることを示唆している。