[16p-Y1311-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[16p-Y1311-9] 減圧ホットウォールMOCVD成長したSiドープGa₂O₃薄膜の電気的特性に対する高温アニール処理の影響

〇(M1)森原 淳¹、坂東 舞生¹、吉永 純也^2,3、熊谷 義直²、東脇 正高^1,4 (1.大阪公立大院工、2.東京農工大院工、3.大陽日酸、4.情通機構)

キーワード：

酸化ガリウム、MOCVD、高温アニール

本研究では、減圧ホットウォール MOCVD成長したSiドープGa₂O₃薄膜の電気的特性に対する高温アニール処理の影響を調査した。高温アニール処理したエピ基板上に作製したショットキーバリアダイオードの、逆方向J–V–T特性の実測値とTFEモデル理論値は非常に良く一致した。この結果は、MOCVD成長したGa₂O₃薄膜の高品質・高耐圧化に、高温アニール処理が有効であることを示唆している。