[17a-K101-1~13] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)

[17a-K101-2] Effect of F on the Effective Work Function of TiN/TiAlC Metal Gates for Advanced Gate-all-around FET

〇Kenzo Manabe¹, Kazuya Uejima¹, Hiroyuki Ota¹, Yukinori Morita¹, Atsushi Yagishita¹, Toshifumi Irisawa¹, Yoshihiro Hayashi¹ (1.SFRC, AIST)

Keywords:

high-k gate dielectric,metal gate,effective work function

本研究では、微細Lg領域（≦100 nm）においてFのTiAlC/TiN電極EWFへの影響を調査した。RMGプロセスで作製したSOIFETのVthのLg依存性から、TiAlCによるEWF低減はLg=88nmの場合（0.1eV）に比べてLg = 28 nmの場合（0.3eV）が大きい。これはLgが小さい程W埋込スペースが小さく、TiAlCへのF拡散が抑制されるため、FのEWF・Vthへの影響が小さいからと考えられる。