講演情報
[17a-K101-2]Gate-all-around FET用TiAlC/TiN電極の実効仕事関数へのF混入の影響
〇間部 謙三1、上嶋 和也1、太田 裕之1、森田 行則1、八木下 淳史1、入沢 寿史1、林 喜宏1 (1.産総研 SFRC)
キーワード：
高誘電率ゲート絶縁膜、メタルゲート、実効仕事関数
本研究では、微細Lg領域（≦100 nm）においてFのTiAlC/TiN電極EWFへの影響を調査した。RMGプロセスで作製したSOIFETのVthのLg依存性から、TiAlCによるEWF低減はLg=88nmの場合（0.1eV）に比べてLg = 28 nmの場合（0.3eV）が大きい。これはLgが小さい程W埋込スペースが小さく、TiAlCへのF拡散が抑制されるため、FのEWF・Vthへの影響が小さいからと考えられる。