[17a-K101-1~13] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)

[17a-K101-3] Development of a Tungsten Electrode for Advanced 300 mm Silicon Processes

〇Naoya Okada¹, Hiroyuki Ota¹, Kenzo Manabe¹, Yukinori Morita¹, Toshifumi Irisawa¹, Fuminori Ito¹, Yoshihiro Hayashi¹ (1.SFRC, AIST)

Keywords:

GAAFET,ALD,CMOS

現在、我々はGAAFET等の先端ロジック半導体デバイスの研究試作のため300 mm パイロットラインの整備を進めており、その一環で、W 電極の形成プロセスを検討している。本発表では、ALD 法によるW 結晶核形成時の還元剤が、W 薄膜の特性に与える影響を報告する。