講演情報
[17a-K101-3]300mm先端ロジック半導体向けタングステン電極形成プロセスの検討
〇岡田 直也1、太田 裕之1、間部 謙三1、森田 行則1、入沢 寿史1、伊藤 文則1、林 喜宏1 (1.産総研 SFRC)
キーワード：
GAAFET、ALD、CMOS
現在、我々はGAAFET等の先端ロジック半導体デバイスの研究試作のため300 mm パイロットラインの整備を進めており、その一環で、W 電極の形成プロセスを検討している。本発表では、ALD 法によるW 結晶核形成時の還元剤が、W 薄膜の特性に与える影響を報告する。