[17a-K101-1~13] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[17a-K101-9] Spectroscopic ellipsometry characterization of extremely thin Si film
for nano-sheet FET process

〇Naoto Kumagai¹, Toshifumi Irisawa¹, Yoshihiro Hayashi¹ (1.SFRC, AIST)

Keywords:

nano-sheet FET,Spectroscopic ellipsometry,optical constants

次世代先端ロジックデバイスのGAAFETをはじめとしたナノシートチャネルの極薄膜化が進んでいる。膜厚の制御・評価において、従来からの分光エリプソメトリやOptical Critical Dimension (OCD)のIn-line評価における役割は大きく、対象の光学定数 (誘電関数)が重要である。今回、厚さを2, 4, 6 nmと変えた極薄Si膜の分光エリプソメトリにより評価したところ、バルクSiの光学定数では特異点付近でfittingにずれがあり、膜厚が薄くなるとバルクから乖離する傾向が見ららた。