講演情報
[17a-K101-9]ナノシートFETプロセスに向けた極薄Si膜の分光エリプソメトリ評価
〇熊谷 直人1、入沢 寿史1、林 喜宏1 (1.産総研 SFRC)
キーワード：
ナノシートFET、分光エリプソメトリ、光学定数
次世代先端ロジックデバイスのGAAFETをはじめとしたナノシートチャネルの極薄膜化が進んでいる。膜厚の制御・評価において、従来からの分光エリプソメトリやOptical Critical Dimension (OCD)のIn-line評価における役割は大きく、対象の光学定数 (誘電関数)が重要である。今回、厚さを2, 4, 6 nmと変えた極薄Si膜の分光エリプソメトリにより評価したところ、バルクSiの光学定数では特異点付近でfittingにずれがあり、膜厚が薄くなるとバルクから乖離する傾向が見ららた。