[17a-K102-1~8] 17.3 Layered materials

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17a-K102-4] Control of Composition and Film Quality by H₂S Annealing for Zr_xHf_1-xS₂ Alloy Films Prepared by Co-Sputtering with Powder HfS₂ Target

〇Taichi Ishikawa¹, Koki Hori^1,2, Naoya Okada², Atsushi Ogura^1,3 (1.Meiji Univ., 2.AIST, 3.MREL)

Keywords:

TMD,ZrHfS2 alloy films,H2S annealing

遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)は、次世代チャネル材料への応用が期待されている二次元層状物質である。我々はこれまでに粉体HfS₂ターゲットを用いた共スパッタ法によるZrHfS₂混晶膜の作製を検討してきた。しかし、混晶膜の膜質の改善および、組成の制御が課題となっている。本研究では、共スパッタのRFパワー比の制御とH₂S雰囲気下でのアニールにより膜質の改善と組成の制御を行ったことを報告する。