[17a-K102-1~8] 17.3 層状物質

10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[17a-K102-4] 粉体HfS₂ターゲットを用いた共スパッタ法で作製したZr_xHf_1-xS₂混晶膜のH₂Sアニールによる膜質と組成の制御

〇石川 太一¹、堀 幸妃^1,2、岡田 直也²、小椋 厚志^1,3 (1.明大 理工、2.産総研、3.明大MREL)

キーワード：

遷移金属ダイカルコゲナイド、ZrHfS2混晶膜、H2Sアニール

遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)は、次世代チャネル材料への応用が期待されている二次元層状物質である。我々はこれまでに粉体HfS₂ターゲットを用いた共スパッタ法によるZrHfS₂混晶膜の作製を検討してきた。しかし、混晶膜の膜質の改善および、組成の制御が課題となっている。本研究では、共スパッタのRFパワー比の制御とH₂S雰囲気下でのアニールにより膜質の改善と組成の制御を行ったことを報告する。