[17a-K202-1~9] 13.3 Insulator technology

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17a-K202-1] Evaluation of Interface Properties in SiO2/Si MOS Capacitors on Si(110) Vicinal Substrates

〇Ryotaro Shimura¹, Eishin Nako¹, Koji Matsumoto², Akihiro Suzuki², Hiroaki Yamamoto², Kazuto Matsukawa², Mitsuru Takenaka¹, Shinichi Takagi¹, Kasidit Toprasertpong¹ (1.Uinv. Tokyo, 2.SUMCO Corp.)

Keywords:

Si (110),off-axis,density of interface trap

Si(110)面は電子移動度と正孔移動度の差が小さいため、FinFETやGAAFETのような最先端Si MOSFETでは重要な面方位となる。エピタキシャルなどの制約によりチャネルの面方位にオフ角がつくことが一般的であるが、Si(110)面のオフ角の影響がよく調べられていなかった。本研究では異なるオフ角の微傾斜Si(110)基板上のSiO2/Si MOSキャパシタを作製し、界面特性の評価を行った。