[17a-K202-1~9] 13.3 絶縁膜技術

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[17a-K202-1] Si(110)微傾斜基板上の SiO2/Si MOS キャパシタにおける界面特性評価

〇志村 瞭太朗¹、名幸 瑛心¹、松本 光二²、鈴木 陽洋²、山本 博昭²、松川 和人²、竹中 充¹、高木 信一¹、ﾄｰﾌﾟﾗｻｰﾄﾎﾟﾝ ｶｼﾃﾞｨｯﾄ¹ (1.東大工、2.SUMCO)

キーワード：

Si (110)、オフ角、界面準位密度

Si(110)面は電子移動度と正孔移動度の差が小さいため、FinFETやGAAFETのような最先端Si MOSFETでは重要な面方位となる。エピタキシャルなどの制約によりチャネルの面方位にオフ角がつくことが一般的であるが、Si(110)面のオフ角の影響がよく調べられていなかった。本研究では異なるオフ角の微傾斜Si(110)基板上のSiO2/Si MOSキャパシタを作製し、界面特性の評価を行った。