[17a-K202-1~9] 13.3 Insulator technology

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17a-K202-3] Improvement of Electrical Stress Resistance of SiO₂ Films by Low-Temperature Oxidation Treatment

〇YOSHIHARU ASHIKAGA¹, YOSHIHIRO TAKAHASHI¹ (1.Nihon Univ.)

Keywords:

Low-temperature oxidation,SiO2 Films

宇宙環境などの放射線環境において半導体デバイスを使用すると,電離放射線の影響でリーク電流が増大する.この特性が電気的ストレスによるリーク電流特性と類似する点からトータルドーズ効果の耐性向上手法として報告されている低温酸化を用いて, MOS構造のTDDB特性に及ぼす酸化温度の影響を調べた.その結果, 酸化時のプロセス温度を下げることで電気的ストレスによる絶縁破壊までの時間を改善できることを確認した.