講演情報
[17a-K202-3]低温酸化処理によるSiO2膜の電気的ストレス耐性向上
〇足利 佳治1、高橋 芳浩1 (1.日大理工)
キーワード：
低温酸化、SiO2膜
宇宙環境などの放射線環境において半導体デバイスを使用すると,電離放射線の影響でリーク電流が増大する.この特性が電気的ストレスによるリーク電流特性と類似する点からトータルドーズ効果の耐性向上手法として報告されている低温酸化を用いて, MOS構造のTDDB特性に及ぼす酸化温度の影響を調べた.その結果, 酸化時のプロセス温度を下げることで電気的ストレスによる絶縁破壊までの時間を改善できることを確認した.