[17a-K202-1~9] 13.3 Insulator technology

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)

[17a-K202-4] Improvement of TDDB variation by stacking gate film in trench field plate power MOSFET

〇Daichi Ishii¹, Satoshi Hoshida¹, Tatsuro Ueno¹, Toshifumi Nishiguchi¹, Kenji Maeyama¹, Tsuyoshi Kachi¹, Hiroaki Kato¹ (1.Toshiba Electronic Devices and Storage)

Keywords:

MOSFET,Gate oxide

SiパワーMOSFETの中で比較的低耐圧領域(~250V)ではトレンチフィールドプレート(FP)構造が主流となっている。この構造ではトレンチ内にソースFPポリシリコンが形成された状態でゲート酸化を行うため、ポリシリコンのラフネスが大きくなる。ゲートに電圧印加するとラフネスの存在する酸化膜部に電界がかかり、ゲート酸化膜よりも絶縁耐量が低下する。今回ゲート酸化条件を変更することでラフネスを改善し、現状よりさらにTDDB寿命の改善を確認した。