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[17a-K202-7]A consideration for Pseudo-Cristobalite model appeared in Si(001) oxidation

〇Eiji Kamiyama1,2, Koji Sueoka2 (1.GlobalWafers Japan Co., Ltd., 2.Okayama Pref. Univ.)

Keywords:

silicon,Oxidation,First Principles Calculation

Si表面を熱酸化したSiO2膜/Si界面を透過型電子顕微鏡(TEM)観察した結果は1980年代から報告されているが,SiO2膜の結晶構造について,決定的な結果は得られていなかった.2012年になって,TEM観察で用いる電子線による試料ダメージを極力避けることで,SiO2膜/Si界面で,格子間Siの放出を行わないβ-Cristobalite /Si基板構造であるPseudo-Cristobaliteモデルが妥当であると報告された.そこで,このPseudo-Cristobaliteモデルに関わり,第一原理計算により研究した結果について,報告する.

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