講演情報
[17a-K202-7]Si(001)面酸化におけるPseudo-Cristobaliteモデルの一考察
〇神山 栄治1,2、末岡 浩治2 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.岡山県立大情報工)
キーワード：
シリコン、酸化、第一原理計算
Si表面を熱酸化したSiO2膜/Si界面を透過型電子顕微鏡（TEM）観察した結果は1980年代から報告されているが，SiO2膜の結晶構造について，決定的な結果は得られていなかった．2012年になって，TEM観察で用いる電子線による試料ダメージを極力避けることで，SiO2膜/Si界面で，格子間Siの放出を行わないβ-Cristobalite /Si基板構造であるPseudo-Cristobaliteモデルが妥当であると報告された．そこで，このPseudo-Cristobaliteモデルに関わり，第一原理計算により研究した結果について，報告する．