[17a-K301-1~10] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17a-K301-1] Development of Highly Efficient Polishing Method for Gallium Nitride Substrates Using Photoelectrochemical Oxidation Reaction
Suppression of processing non-uniformity caused by oxygen impurity concentration distribution and defects in the substrate

〇(DC)Kiyoto Kayao¹, Tatsuya Fukagawa¹, Daisetsu Toh¹, Jumpei Yamada¹, Kazuto Yamauchi¹, Yasuhisa Sano¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:

Gallium Nitride,Polishing,Photoelectrochemical oxidation

窒化ガリウム基板の新たな高能率研磨法として紫外光照射による光電気化学（PEC）酸化反応を利用したPEC酸化反応援用型触媒表面基準エッチング法を提案する．本手法を用いることで高速に原子スケールでの平滑化を両立して実現した．更に加工中の基板表面の空乏層を制御することで、結晶中に不純物濃度分布むらや欠陥を有する基板を加工した場合に発生する加工むらの抑制を達成した．