[17a-K301-1~10] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)

[17a-K301-3] Comparison of characteristics for n-type GaN films prepared by different sputtering sources

〇Shinji Yamada¹, Kiho Tanaka¹, Manabu Arai², Tetsu Kachi², Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:

GaN,sputtering

我々は縦型GaNパワーデバイスのオン抵抗低減に向けて、高濃度n型GaNスパッタ膜堆積による低コンタクト形成技術の開発を行っている。これまで、GaNスパッタ膜堆積の成膜源には、金属Gaと窒素ラジカル(N*)照射を用いた検討または、GaN焼結体とN*照射を用いた検討を進めている。本報告では、同一装置を用いて各成膜源を用いてGaNスパッタ膜をそれぞれ堆積し、表面形態や成膜レートの差異を比較したので報告する。