[17a-K301-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:30 〜 9:45

[17a-K301-3] 異なる成膜源を用いて作製したn型GaNスパッタ膜の特性比較

〇山田 真嗣¹、田中 希帆¹、新井 学²、加地 徹²、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大IMaSS)

キーワード：

窒化ガリウム、スパッタリング

我々は縦型GaNパワーデバイスのオン抵抗低減に向けて、高濃度n型GaNスパッタ膜堆積による低コンタクト形成技術の開発を行っている。これまで、GaNスパッタ膜堆積の成膜源には、金属Gaと窒素ラジカル(N*)照射を用いた検討または、GaN焼結体とN*照射を用いた検討を進めている。本報告では、同一装置を用いて各成膜源を用いてGaNスパッタ膜をそれぞれ堆積し、表面形態や成膜レートの差異を比較したので報告する。