[17a-K301-1~10] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)

[17a-K301-4] Time-resolved photoluminescence studies of Mg-ion-implanted GaN processed by ultra-high-pressure annealing

〇Kohei Shima¹, Ryo Tanaka², Shinya Takashima², Katsunori Ueno², Shoji Ishibashi³, Akira Uedono⁴, Shigefusa Chichibu¹ (1.IMRAM-Tohoku Univ., 2.Fuji Electric, 3.AIST, 4.Univ. of Tsukuba)

Keywords:

GaN,Mg ion implantation,Time-resolved photoluminescence

縦型GaN MOSパワーデバイスの実現には、p型GaNセグメントをMgイオン注入(I/I)により位置選択形成する技術が必須である。Mgの活性化にはI/I誘起欠陥（Ga空孔とN空孔の複空孔；V_GaV_N等）およびアニール時に形成される(V_GaV_N)₃等の空孔クラスタを減らすことが不可欠である。これまでにI/I-GaN:Mgのp型化が達成されてきたが、Ga極性面I/I-GaN:Mg表層における少数キャリア寿命は最長でも1 ps程度に留まることが、時間分解フォトルミネッセンス(TRPL)法により定量化されてきた。本研究では、イオン注入条件およびUHPA条件がI/I-GaNの少数キャリア寿命に与える影響をTRPL法により評価した結果を報告する。