[17a-K301-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:45 〜 10:00

[17a-K301-4] 超高圧アニール処理したMgイオン注入GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

〇嶋 紘平¹、田中 亮²、高島 信也²、上野 勝典²、石橋 章司³、上殿 明良⁴、秩父 重英¹ (1.東北大多元研、2.富士電機、3.産総研CD-FMat、4.筑波大数物)

キーワード：

窒化ガリウム、Mgイオン注入、時間分解フォトルミネッセンス

縦型GaN MOSパワーデバイスの実現には、p型GaNセグメントをMgイオン注入(I/I)により位置選択形成する技術が必須である。Mgの活性化にはI/I誘起欠陥（Ga空孔とN空孔の複空孔；V_GaV_N等）およびアニール時に形成される(V_GaV_N)₃等の空孔クラスタを減らすことが不可欠である。これまでにI/I-GaN:Mgのp型化が達成されてきたが、Ga極性面I/I-GaN:Mg表層における少数キャリア寿命は最長でも1 ps程度に留まることが、時間分解フォトルミネッセンス(TRPL)法により定量化されてきた。本研究では、イオン注入条件およびUHPA条件がI/I-GaNの少数キャリア寿命に与える影響をTRPL法により評価した結果を報告する。