[17a-K301-1~10] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17a-K301-6] Electrical Properties under Sub-E_g-Light Illumination of GaN npn Structures used in GaN MOSFETs

〇Nami Kusunoki¹, Tohru Oka^2,3, Nariaki Tanaka³, Kazuya Hasegawa³, Takatomi Izumi³, Takaki Niwa³, Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS Nagoya Univ., 3.Toyoda Gosei.)

Keywords:

semiconductor,GaN,npn structures

GaN縦型トレンチMOSFETにおける特性変動の原因特定に向けた研究の一環として、npn構造のI-VおよびC-V特性を、サブバンドギャップ(Sub-E_g)光を用いて測定した。I-V特性ではSub-E_g光照射により光電流が流れ、また波長依存性も見られた。C-V特性では電圧によるシフトが見られたがSub-E_g光照射により回復した。これらの結果から、ギャップ中の準位を介した二段階励起が考えられる。