講演情報
[17a-K301-6]GaN縦型トレンチMOSFETに用いられるnpn構造のサブバンドギャップ光照射時の電気特性
〇楠木 菜水1、岡 徹2,3、田中 成明3、長谷川 一也3、泉 貴富3、丹羽 隆樹3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田合成)
キーワード：
半導体、GaN、npn構造
GaN縦型トレンチMOSFETにおける特性変動の原因特定に向けた研究の一環として、npn構造のI-VおよびC-V特性を、サブバンドギャップ(Sub-Eg)光を用いて測定した。I-V特性ではSub-Eg光照射により光電流が流れ、また波長依存性も見られた。C-V特性では電圧によるシフトが見られたがSub-Eg光照射により回復した。これらの結果から、ギャップ中の準位を介した二段階励起が考えられる。