[17a-K304-1~10] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

11:45 AM - 12:00 PM JST(2:45 AM - 3:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17a-K304-10] In-situ Surface Reaction Analysis during Atomic Layer Etching of TiN Irradiated by Cl Radicals at Low Temperature

〇(M1)Shunya Hirai¹, Kazunori Shinoda², Thi-Thuy-Nga Nguyen¹, Takayoshi Tsutsumi¹, Kenichi Inoue¹, Kenji Ishikawa¹ (1.Nagoya Univ., 2.Hitachi High-tech Corp.)

Keywords:

atomic layer etching,Titanium Nitride,XPS

近年報告されたプラズマ中の塩素ラジカルを用いたTiNの等方性原子層エッチング技術について、その詳細な反応メカニズムを解明するために我々は塩素ラジカルによる表面改質層の形成プロセス、及び加熱による脱離プロセスの解明を試みている。今回の報告では、塩素ラジカル照射後のTiN表面をin-situ X線光電子分光法 (XPS) を用いて測定し、その表面状態を解析して反応機序などの解明に取り組んだ。