[17a-K304-1~10] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

11:45 〜 12:00奨励賞エントリー

[17a-K304-10] 低温下での塩素ラジカル照射による窒化チタン原子層エッチングにおけるin-situ表面反応解析

〇(M1)平井 俊也¹、篠田 和典²、グエン ティ トゥイ ガー¹、堤 隆嘉¹、井上 健一¹、石川 健治¹ (1.名大、2.日立ハイテク)

キーワード：

原子層エッチング、窒化チタン、XPS

近年報告されたプラズマ中の塩素ラジカルを用いたTiNの等方性原子層エッチング技術について、その詳細な反応メカニズムを解明するために我々は塩素ラジカルによる表面改質層の形成プロセス、及び加熱による脱離プロセスの解明を試みている。今回の報告では、塩素ラジカル照射後のTiN表面をin-situ X線光電子分光法 (XPS) を用いて測定し、その表面状態を解析して反応機序などの解明に取り組んだ。