[17a-K304-1~10] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[17a-K304-8] Plasma-induced defects ~ SiO₂/Si interface defects and microstructural change~

〇Shota Nunomura¹, Takayoshi Tsutsumi², Masaru Hori² (1.AIST, 2.Nagoya Univ.)

Keywords:

interface oxidation,plasma oxidation,defects

シリコンMOSFET（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）では、ゲートスタック内の酸化膜が漏れ電流の抑止とゲート制御性の面から重要な役割を担う。そのため、先端MOSでは、高品質な酸化膜をサブナノメートルスケールで精密に制御する。酸化膜は、通常、ケミカル酸化や熱酸化などを用いて形成されるが、デバイス作製工程を通すことで、予期せぬ界面酸化が進み増膜することが知られている。また、界面酸化にともない、界面欠陥が導入されることも懸念されている。そこで、今回、デバイス作製工程におけるレジストアッシングやゲートエッチバックを想定し、酸素(O₂)プラズマで酸化膜/シリコン（SiO₂/Si）スタックを処理した際のSiO₂/Si界面の酸化と欠陥を調査したので報告する。