講演情報
[17a-K304-8]プラズマ誘起欠陥の発生と修復 ～SiO2/Si界面酸化と微細構造変化～
〇布村 正太1、堤 隆嘉2、堀 勝2 (1.産総研、2.名大)
キーワード：
界面酸化、プラズマ酸化、欠陥
シリコンMOSFET（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）では、ゲートスタック内の酸化膜が漏れ電流の抑止とゲート制御性の面から重要な役割を担う。そのため、先端MOSでは、高品質な酸化膜をサブナノメートルスケールで精密に制御する。酸化膜は、通常、ケミカル酸化や熱酸化などを用いて形成されるが、デバイス作製工程を通すことで、予期せぬ界面酸化が進み増膜することが知られている。また、界面酸化にともない、界面欠陥が導入されることも懸念されている。そこで、今回、デバイス作製工程におけるレジストアッシングやゲートエッチバックを想定し、酸素(O2)プラズマで酸化膜/シリコン（SiO2/Si）スタックを処理した際のSiO2/Si界面の酸化と欠陥を調査したので報告する。