[17a-K401-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

11:45 AM - 12:00 PM JST(2:45 AM - 3:00 AM UTC)

[17a-K401-11] Homoepitaxial Growth of GaN on Mn-doped Semi-Insulating GaN Substrate by Plasma-Enhanced Molecular Beam Epitaxy

〇Hiroyuki Ohsaka¹, Kouei Kubota¹, Hikaru Sasaki¹, Kenji Iso², Meita Asami¹, Masakazu Sugiyama¹, Ryosho Nakane¹, Takuya Maeda¹ (1.UTokyo, 2.Mitsubishi Chemical Co.)

Keywords:

gallium nitride,MBE

絶縁性基板上高品質GaNやAlGaN/GaNの物性評価に向けて，N₂プラズマ援用(PE-)MBEによってMnドープ半絶縁性GaN基板上にGaNをホモエピタキシャル成長し，その結晶性について原子間力顕微鏡とX線回折法によって調べたので報告する