講演情報
[17a-K401-11]RF-MBE法によるMnドープ半絶縁性GaN基板上GaNホモエピタキシャル成長
〇逢坂 拓征1、久保田 航瑛1、佐々木 洸1、磯 憲司2、浅見 明太1、杉山 正和1、中根 了昌1、前田 拓也1 (1.東大、2.三菱ケミカル)
キーワード：
窒化ガリウム、分子線エピタキシー
絶縁性基板上高品質GaNやAlGaN/GaNの物性評価に向けて，N2プラズマ援用(PE-)MBEによってMnドープ半絶縁性GaN基板上にGaNをホモエピタキシャル成長し，その結晶性について原子間力顕微鏡とX線回折法によって調べたので報告する