Presentation Information

[17a-K401-2]Investigation of red MQW growth on sputtered GaInN on ScAlMgO4 substrate

〇(M1)Ryotaro Ito1, Ryusei Sakamoto1, Naoto Hukami1, Minori Kinoshita1, Ai Sakakibara1, Seiji Ishimoto2, Seiya Nishimura2, Atsushi Suzuki2, Motoaki Iwaya1, Tetsuya Takeuchi1, Satoshi Kamiyama1, Makoto Matsukura3, Takahiro Kojima3, Atsushi Fujita4, Fuminori Yoda4 (1.Meijo Univ., 2.E&E Evolution Ltd., 3.OXIDE Corp., 4.Shibaura Mechatronics Co.)

Keywords:

semiconductor,crystal growth

基板上に従来MOVPE法で成長したMQW下地層は相分離により平坦性が低く、下地層直上のMQW結晶性の低下が課題であった。そのため、下地層に平坦性が良好なスパッタ膜を採用しMQWの平坦性改善を目指しているが、現状のスパッタ膜は表面にGaやInのメタルドロップレットと思われる突起があり、これが直上のMQWの発光特性の低下に影響すると考え、下地層を表面洗浄し、直上にMQWを成長してその効果を検証した。

Comment

To browse or post comments, you must log in.Log in