[17a-K401-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17a-K401-2] Investigation of red MQW growth on sputtered GaInN on ScAlMgO₄ substrate

〇(M1)Ryotaro Ito¹, Ryusei Sakamoto¹, Naoto Hukami¹, Minori Kinoshita¹, Ai Sakakibara¹, Seiji Ishimoto², Seiya Nishimura², Atsushi Suzuki², Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Makoto Matsukura³, Takahiro Kojima³, Atsushi Fujita⁴, Fuminori Yoda⁴ (1.Meijo Univ., 2.E&E Evolution Ltd., 3.OXIDE Corp., 4.Shibaura Mechatronics Co.)

Keywords:

semiconductor,crystal growth

基板上に従来MOVPE法で成長したMQW下地層は相分離により平坦性が低く、下地層直上のMQW結晶性の低下が課題であった。そのため、下地層に平坦性が良好なスパッタ膜を採用しMQWの平坦性改善を目指しているが、現状のスパッタ膜は表面にGaやInのメタルドロップレットと思われる突起があり、これが直上のMQWの発光特性の低下に影響すると考え、下地層を表面洗浄し、直上にMQWを成長してその効果を検証した。