講演情報
[17a-K401-2]ScAlMgO4基板上スパッタGaInNへの赤色MQW成長の検討
〇(M1)伊藤 涼太郎1、坂本 龍星1、深水 直斗1、木下 実乃里1、榊原 愛1、石本 聖治2、西村 政哉2、鈴木 敦志2、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、松倉 誠3、小島 孝広3、藤田 篤史4、依田 文徳4 (1.名城大理工、2.E＆Eエボリューション(株)、3.(株)オキサイド、4.芝浦メカトロニクス(株))
キーワード：
半導体、結晶成長
基板上に従来MOVPE法で成長したMQW下地層は相分離により平坦性が低く、下地層直上のMQW結晶性の低下が課題であった。そのため、下地層に平坦性が良好なスパッタ膜を採用しMQWの平坦性改善を目指しているが、現状のスパッタ膜は表面にGaやInのメタルドロップレットと思われる突起があり、これが直上のMQWの発光特性の低下に影響すると考え、下地層を表面洗浄し、直上にMQWを成長してその効果を検証した。