[17a-K401-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)

[17a-K401-3] In-situ XRD-RSM observation in the initial growth stage in RF-MBE growth of GaInN on ScAlMgO₄

〇Mitsuki Moriya¹, Takuo Sasaki², Jo Takeuti¹, Takeyosi Onuma¹, Tohru Honda¹, Tomohiro Yamaguchi¹, Yasushi Nanishi³ (1.Kougakuin Univ., 2.QST, 3.Ritsumeikan Univ.)

Keywords:

ScAlMgO4 substrate,in-situ XRD-RSM,GaInN

高品質なGaInN膜やGaInN/GaInN量子井戸構造を実現させることで、赤色発光LEDの発光効率向上が期待できる。一方でGaInN成長にはGaNなどの異種基板の使用が求められる。最近、In組成17%のGaInNに格子整合するSAM基板に注目が集まっている。今回は、SPring-8にあるMBE-XRD装置を用いて、SAM基板上GaInN成長のその場X線回折逆格子空間マッピング測定を行い、成長初期過程観察を行ったので報告する。