講演情報
[17a-K401-3]ScAlMgO4基板上RF-MBE法GaInN成長におけるその場XRD-RSMを用いた成長初期過程観察
〇守屋 潤希1、佐々木 拓生2、竹内 丈1、尾沼 猛儀1、本田 徹1、山口 智広1、名西 憓之3 (1.工学院大学、2.量研、3.立命館大学)
キーワード：
SAM基板、その場観察XRD－RSM、窒化ガリウムインジウム混晶
高品質なGaInN膜やGaInN/GaInN量子井戸構造を実現させることで、赤色発光LEDの発光効率向上が期待できる。一方でGaInN成長にはGaNなどの異種基板の使用が求められる。最近、In組成17%のGaInNに格子整合するSAM基板に注目が集まっている。今回は、SPring-8にあるMBE-XRD装置を用いて、SAM基板上GaInN成長のその場X線回折逆格子空間マッピング測定を行い、成長初期過程観察を行ったので報告する。