[17a-K401-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17a-K401-9] Epitaxial growth of c-BScN layers by magnetron sputtering

〇Ryota Maeda¹, Yoshitaka Taniyasu¹, Kazuhide Kumakura¹, Kazuyuki Hirama¹ (1.NTT BRL)

Keywords:

Boron Nitride,Epitaxial growth,Sputtering

立方晶窒化ホウ素(c-BN)は高耐圧電子デバイス等への応用が期待されている。c-BNをベースとしたヘテロ構造の形成はデバイスの更なる応用に向けて重要である。本研究ではマグネトロンスパッタリング法により立方晶窒化ホウ素スカンジウム(c-BScN)混晶の成長を行った。c-BN系混晶のマグネトロンスパッタリング成長の報告はこれまでになく、c-BScN薄膜のエピタキシャル成長を世界で初めて実証した。