[17a-K401-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[17a-K401-9] 立方晶窒化ホウ素スカンジウム(c-BScN)薄膜のマグネトロンスパッタリング成長

〇前田 亮太¹、谷保 芳孝¹、熊倉 一英¹、平間 一行¹ (1.NTT物性研)

キーワード：

窒化ホウ素、エピタキシャル成長、スパッタリング

立方晶窒化ホウ素(c-BN)は高耐圧電子デバイス等への応用が期待されている。c-BNをベースとしたヘテロ構造の形成はデバイスの更なる応用に向けて重要である。本研究ではマグネトロンスパッタリング法により立方晶窒化ホウ素スカンジウム(c-BScN)混晶の成長を行った。c-BN系混晶のマグネトロンスパッタリング成長の報告はこれまでになく、c-BScN薄膜のエピタキシャル成長を世界で初めて実証した。