[17a-Y1311-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)

[17a-Y1311-10] Electronic structural analysis of impurity-doped Ga₂O₃

〇Takahiro Kawamura¹, Takeshi Nishimura¹, Takuma Yamashita¹, Toru Akiyama¹, Yoshihiro Kangawa² (1.Mie Univ., 2.RIAM, Kyushu Univ.)

Keywords:

gallium oxide,first principles calculation

n型Ga₂O₃の作製にはSi，Ge，SnなどのIV族元素が添加物として用いられる。不純物が半導体のバンドギャップや電子移動度といった物性に与える影響を理解することは，半導体特性の評価において極めて重要である。本研究では第一原理計算を用いて不純物を含むGa₂O₃のバンド構造解析を行い，不純物によるバンド構造の変化と，それに伴う電子有効質量の変化を調べた。具体的には，β-Ga₂O₃中のGaがSiまたはSnに置換された構造について検討を行った。