講演情報
[17a-Y1311-10]不純物添加Ga2O3の電子構造解析
〇河村 貴宏1、西村 健志1、山下 拓真1、秋山 亨1、寒川 義裕2 (1.三重大院工、2.九大応力研)
キーワード：
酸化ガリウム、第一原理計算
n型Ga2O3の作製にはSi，Ge，SnなどのIV族元素が添加物として用いられる。不純物が半導体のバンドギャップや電子移動度といった物性に与える影響を理解することは，半導体特性の評価において極めて重要である。本研究では第一原理計算を用いて不純物を含むGa2O3のバンド構造解析を行い，不純物によるバンド構造の変化と，それに伴う電子有効質量の変化を調べた。具体的には，β-Ga2O3中のGaがSiまたはSnに置換された構造について検討を行った。