[17a-Y1311-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)

[17a-Y1311-2] Fabrication of NiO/Ga₂O₃ pn Hetero Junction Diode with JTE Structure

〇Shinji Nakagomi¹, Unno Ryohei², Koji Yano² (1.Ishinomaki Senshu, 2.Univ. of Yamanashi)

Keywords:

nickel oxide,gallium oxide,termination structure

NiO/Ga₂O₃ pnヘテロ接合ダイオードの高耐圧化のために、サイズの異なる多層のNiO層を形成することで電界の分散を図るJTE(junction termination extension)構造をもつダイオードを試作し、1400Vの耐圧を実現した。