[17a-Y1311-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:15 〜 9:30

[17a-Y1311-2] JTE構造をもつNiO/Ga₂O₃ pnヘテロ接合ダイオードの試作

〇中込 真二¹、海野 凌平²、矢野 浩司² (1.石巻専修大理工、2.山梨大工)

キーワード：

酸化ニッケル、酸化ガリウム、終端構造

NiO/Ga₂O₃ pnヘテロ接合ダイオードの高耐圧化のために、サイズの異なる多層のNiO層を形成することで電界の分散を図るJTE(junction termination extension)構造をもつダイオードを試作し、1400Vの耐圧を実現した。