[17a-Y1311-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)

[17a-Y1311-3] Crack and Distortion of NiO Layer Formed on β-Ga₂O₃ Substrate

〇Shinji Nakagomi¹ (1.Ishinomaki Senshu)

Keywords:

nickel oxide,gallium oxide,thermal expansion

Ga₂O₃基板上に形成したNiO層にクラックが生じることがある。この方向は基板a軸に平行である。
Ga₂O₃基板の熱膨張係数の異方性に起因して発生している可能性がある。また、基板を傾けてX線回折測定をすることでNiOの格子歪の測定を試みた。