[17p-K103-1~9] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)

[17p-K103-1] Formation of Ferroelectric HfN_x Films Using Minimal Fab Reactive Sputtering Tool

〇Shuichi Noda¹, Yuuki Yabuta², Naoko Yamamoto², Ryuichiro Kamei², Noriko Miura¹, Shinichi Ikeda¹, Shiro Hara^1,3 (1.AIST, 2.Seinan-kogyo, 3.Hundred Semiconductors)

Keywords:

minimalfab,HfNx,reactive sputter

ミニマル反応性スパッタ装置を用いての強誘電性HfN_x膜の形成を検討している。前回の講演では、Metal/Ferroelectrics/Siliconダイオード構造を作製し、結晶性評価、書き込み前後のC-V特性等から強誘電性HfN_x膜が得られている可能性を示した。今回は、スパッタリングパワーがMFS構造に与える影響を調べた。その結果、結晶構造、界面リーク等に影響があることが分かった。