講演情報
[17p-K103-1]ミニマル反応性スパッタ装置による強誘電性HfNx膜の形成
〇野田 周一1、薮田 勇気2、山本 直子2、亀井 龍一郎2、三浦 典子1、池田 伸一1、原 史朗1,3 (1.産総研、2.誠南工業、3.Hundred Semiconductors)
キーワード：
ミニマルファブ、HfNx、反応性スパッタ
ミニマル反応性スパッタ装置を用いての強誘電性HfNx膜の形成を検討している。前回の講演では、Metal/Ferroelectrics/Siliconダイオード構造を作製し、結晶性評価、書き込み前後のC-V特性等から強誘電性HfNx膜が得られている可能性を示した。今回は、スパッタリングパワーがMFS構造に与える影響を調べた。その結果、結晶構造、界面リーク等に影響があることが分かった。