[17p-K103-1~9] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)

[17p-K103-2] In-plane Homogenization of Sheet Resistance of MOSFETs on a wafer using Minimal-Fab Spin-on Dopant Process (II)

〇Shuhei Nakamichi¹, Hiroyoshi Hongoh², Noriko Miura², Shinichi Ikeda², Shiro Hara^1,2 (1.MinimalFab, 2.AIST)

Keywords:

minimalFab,SOD Coat,Impurity doping

ミニマルファブでは、不純物拡散にはSOD材料を用いた熱拡散方法を採用している。
しかし、ボロンドープpMOSFETにおいてシート抵抗は、ばらつきが大きく抵抗が大きい状態だった。
今回このボロンドープ材料の塗布条件と塗布後のベーク温度を見直しすることで、
シート抵抗値の低減と面内ばらつきを小さくするプロセスを開発したので報告する。