[17p-K103-1~9] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)

[17p-K103-5] Development of photo resist process with high viscosity resist for a half inch diameter wafer

〇Ryuhei Sekifuji¹, Hiroshige Kogayu², Hiroyuki Tanaka², Noriko Miura², Shinichi Ikeda², Shiro Hara^1,2 (1.Hundred, 2.AIST)

Keywords:

minimalfab,Resist,CY1000

ミニマルファブでは、ハーフインチウェハを用いてcP値が400以下の粘性が異なるレジストの塗布特性を評価してきた。MEMSデバイスプロセスの深掘りエッチングでは、cP値が1,000以上の高粘性レジストが求められ、cP値が400以下のレジストとは異なった塗布現象が起こることが懸念される。実際、粘性1000 cPの塗布プロセスにおいてはウェハ裏面汚れが発生することが見いだされた。本稿ではその裏面汚れの原因と対策を調べた結果を報告する。