講演情報
[17p-K103-5]小口径ハーフインチウェハにおける高粘性レジストプロセスの開発
〇関藤 竜平1、小粥 敬成2、田中 宏幸2、三浦 典子2、池田 伸一2、原 史朗1,2 (1.Hundred Semiconductors、2.産総研)
キーワード：
ミニマルファブ、レジスト、CY1000
ミニマルファブでは、ハーフインチウェハを用いてcP値が400以下の粘性が異なるレジストの塗布特性を評価してきた。MEMSデバイスプロセスの深掘りエッチングでは、cP値が1,000以上の高粘性レジストが求められ、cP値が400以下のレジストとは異なった塗布現象が起こることが懸念される。実際、粘性1000 cPの塗布プロセスにおいてはウェハ裏面汚れが発生することが見いだされた。本稿ではその裏面汚れの原因と対策を調べた結果を報告する。