[17p-K103-1~9] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)

[17p-K103-8] Uniformity of device characteristics using Minimal Water Plasma Ashing process

〇Noriko Miura¹, Hiroyoshi Hongoh¹, Takeshi Aizawa², Mitsunori Nogawa², Yasuhiro Onishi², Tatsuo Ishijima³, Shinichi Ikeda¹, Shiro Hara^1,4 (1.AIST, 2.YONEKURA, 3.KANAZAWA Univ., 4.Hundred)

Keywords:

minimalfab,resist remove process,plasma process

ミニマルファブにおける新規のレジスト除去プロセスとして、低環境負荷でダメージの低減が期待できる「水プラズマアッシング(WPA)技術」を開発している。本研究では、WPAプロセスをAl電極加工後のレジスト除去処理に適用し、pMOSトランジスタ特性のウェハ面内分布を評価したので、その結果について報告する。